发明名称 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND VAPORIZATION SYSTEM
摘要 본 발명은 액체 원료의 공급량을 증가시킬 수 있는 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기화 시스템을 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 기판을 수용하는 처리실과, 액체 원료를 기화시키는 기화기와, 처리실에 기화 가스를 공급하는 기화 가스 공급계와, 기화기에 형성되는 기화실에 액체 원료 및 캐리어 가스를 공급하여, 기화실 내에 있어서의 전체압에 대한 액체 원료의 분압이 20% 이하로 되도록 기화 가스 공급계를 제어하도록 구성되는 제어부를 갖는다.
申请公布号 KR101587702(B1) 申请公布日期 2016.01.21
申请号 KR20130164384 申请日期 2013.12.26
申请人 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 发明人 야마자키, 히로히사;다케바야시, 유지
分类号 H01L21/205 主分类号 H01L21/205
代理机构 代理人
主权项
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