发明名称 | 蚀刻处理方法 | ||
摘要 | 明的课题是在于提供一种即使所被形成的图案的宽高比(Aspect Ratio)高,还是可防止图案变形之蚀刻处理方法。 | ||
申请公布号 | TWI518775 | 申请公布日期 | 2016.01.21 |
申请号 | TW100105788 | 申请日期 | 2011.02.22 |
申请人 | 东京威力科创股份有限公司 | 发明人 | 持木宏政;冈本晋;西岛贵史;山崎文生 |
分类号 | H01L21/3065(2006.01) | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 林志刚 | |
主权项 | 一种蚀刻处理方法,系于基板处理装置中,对具有蚀刻对象膜及形成于该蚀刻对象膜上的遮罩膜且载置于上述载置台的基板实施蚀刻处理之蚀刻处理方法,该基板处理装置系具备在内部产生电浆的处理室、配置于该处理室内部的载置台及与该载置台对向来配置于上述处理室内部的电极,对上述处理室内部施加比较频率高的第1高频电力,对上述载置台施加频率比上述第1高频电力更低的第2高频电力,对上述电极施加直流电力,其特征系具有:图案形状改良步骤,其系改良形成于上述基板上的遮罩膜之图案的形状;及对象膜蚀刻步骤,其系利用被改良上述图案的形状之遮罩膜来以电浆蚀刻上述蚀刻对象膜,而于上述蚀刻对象膜形成图案,在上述图案形状改良步骤中,以电浆蚀刻上述遮罩膜;在上述对象膜蚀刻步骤中,将上述直流电力施加于上述电极,且至少将上述第2高频电力脉冲波状施加于上述载置台,在上述直流电力被施加于上述电极的期间,制作出上述第2高频电力未被施加于上述载置台的状态,藉此使在上述基板的表面上产生的鞘层消灭,而使从被施加上述直流电力的上述电极产生的电子往上述图案进入。 | ||
地址 | 日本 |