画素结构的制造方法及其结构

摘要

画素结构的制造方法，其至少包括下列步骤。于基板上形成图案化半导体层，且形成绝缘层覆盖图案化半导体层。形成图案化金属层于绝缘层上，再形成第一介电层覆盖图案化金属层。接着进行低温退火制程，再进行电浆处理制程。于电浆处理制程之后，形成第二介电层覆盖第一介电层。形成第三介电层覆盖第二介电层。形成汲极与源极于第三介电层上，其中汲极与源极系与图案化半导体层接触。形成保护层于汲极与源极上。形成画素电极于保护层上，且画素电极与汲极接触。本发明亦提出一种画素结构系由上述画素结构的制造方法所制成。

主权项

一种画素结构之制造方法，包含：提供一基板；形成一图案化半导体层于该基板上；形成一绝缘层覆盖该图案化半导体层；形成一图案化金属层于该绝缘层上，其中该图案化金属层于一垂直投影方向部分重叠于该图案化半导体层；于形成该图案化金属层之后，形成一第一介电层覆盖该图案化金属层，其中该第一介电层之厚度实质上介于20奈米(nm)至40奈米之间；于形成于该第一介电层之后，进行一低温退火制程；于进行该低温退火制程之后，进行一氢化电浆处理制程(hydrogen plasma treatment)；于进行该氢化电浆处理制程之后，形成一第二介电层覆盖该第一介电层；形成一第三介电层覆盖该第二介电层，且于该第三介电层、该第二介电层、该第一介电层以及该绝缘层内形成一第一接触窗以及一第二接触窗，以分别暴露出部分之该图案化半导体层；形成一源极以及一汲极于该第三介电层上，其中该汲极透过该第一接触窗与该图案化半导体层接触，且该源极透过该第二接触窗与该图案化半导体层接触；形成一保护层于该源极以及该汲极上，并于该保护层内形成一第三接触窗，暴露出部分之该汲极；以及形成一画素电极于该保护层上，且该画素电极透过该第三接触窗与该汲极接触。