发明名称 |
离子源、离子植入系统与产生多个电荷离子于离子源内的方法 |
摘要 |
实施例中,一离子源包括一弧形腔室以及一发射器,发射器具有一配置于弧形腔室内的表面,其中发射器用以产生一电浆于弧形腔室内。离子源更包括一反射极以及一中空阴极,其中反射极具有一位于表面对面的反射极表面,中空阴极耦合至反射极且用以提供一进料至弧形腔室内。
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申请公布号 |
TWI518733 |
申请公布日期 |
2016.01.21 |
申请号 |
TW103108280 |
申请日期 |
2014.03.11 |
申请人 |
瓦里安半导体设备公司 |
发明人 |
巴森 奈尔 |
分类号 |
H01J37/08(2006.01);H01J37/317(2006.01) |
主分类号 |
H01J37/08(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
叶璟宗;郑婷文;詹富闵 |
主权项 |
一种离子源,包括:一弧形腔室;一发射器,具有一配置于该弧形腔室内的表面,该发射器用以产生一电浆于该弧形腔室内;一反射极,具有一位于该发射器表面对面的表面;以及一中空阴极,耦合至该反射极且用以提供一进料至该弧形腔室内,其中当该中空阴极维持在低于该弧形腔室几十到几百伏特的一电位时,该中空阴极用以产生一放电于其内。
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地址 |
美国 |