| 摘要 |
【解決手段】 アモルファス金属薄膜非線形抵抗器（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ ｍｅｔａｌ ｔｈｉｎ−ｆｉｌｍ ｎｏｎ−ｌｉｎｅａｒ ｒｅｓｉｓｔｏｒ：ＡＭＮＲ）を提供する。前記ＡＭＮＲは対称な非線形電流電圧（Ｉ−Ｖ）特性を有する電子素子であり、その例示的な構成は、下部アモルファス金属薄膜（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ ｍｅｔａｌ ｔｈｉｎ−ｆｉｌｍ：ＡＭＴＦ）相互接続体と、前記ＡＭＴＦ相互接続体の上に位置する薄膜絶縁体と、前記絶縁体の上に位置し、同一の物理的平面上に配置された２つの上部導電コンタクトとを含む、順番に堆積された３層を有することができる。【選択図】 図１Ａ |
