| 发明名称 |
ＷＯ型氧化钨奈米材料及其于光感测器、金氧半场效电晶体及太阳能电池之应用;WO- |
| 摘要 |
明提出一种W18O49型氧化钨奈米材料，其制备方式是以二硫化钨为前驱物，经热氧化成长为奈米结构。本发明亦揭示以W18O49型氧化钨奈米材料应用于光感测器、金属氧化物半导体场效电晶体及太阳能电池。
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| 申请公布号 |
TWI518037 |
申请公布日期 |
2016.01.21 |
| 申请号 |
TW102133608 |
申请日期 |
2013.09.17 |
| 申请人 |
国立清华大学 |
发明人 |
游萃蓉;许佑铭 |
| 分类号 |
C01G41/02(2006.01);H01L29/786(2006.01);H01L31/113(2006.01) |
主分类号 |
C01G41/02(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
蔡朝安 |
| 主权项 |
一种W18O49型氧化钨奈米材料，其具有以下化学式(I)：W18O(49-x)Sx.......(I)其中，x介于0.5至5.5之间，该W18O49型氧化钨奈米材料是以二硫化钨为一前驱物，经热氧化反应后沉积所制成。
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| 地址 |
新竹市光复路2段101号 |
