Halbleitervorrichtung mit isoliertem Gate, aufweisend eine Schirmungselektrode und Verfahren

摘要

In einer Ausführungsform weist eine Halbleitervorrichtung ein Halbleitergebiet mit einem Ladungsausgleichsgebiet auf einem Übergangsblockierungsgebiet auf, das eine niedrigere Dotierungskonzentration aufweist. Eine Grabenstruktur mit einer isolierten Schirmungselektrode und einer isolierten Gate-Elektrode ist im Halbleitergebiet vorgesehen. In einer Ausführungsform endet die Grabenstruktur im Übergangsblockierungsgebiet. In einer anderen Ausführungsform weist die Halbleitervorrichtung ein lokalisiertes dotiertes Gebiet auf, das an eine untere Fläche des Körpergebiets beabstandet von der Grabenstruktur angrenzt. Das lokalisierte dotierte Gebiet weist einen Leitfähigkeitstyp auf, der dem Leitfähigkeitstyp des Ladungsausgleichsgebiets entgegengesetzt ist. In einer anderen Ausführungsform weist die Grabenstruktur eine Kerbe neben der unteren Fläche des Körpergebiets auf. In einer weiteren Ausführungsform ist die isolierte Schirmungselektrode dazu konfiguriert, einen breiten Abschnitt aufzuweisen, der an einen schmalen Abschnitt angrenzt.