半导体装置及其制造方法

摘要

明提供一种半导体装置，包括：一半导体晶粒；一接着层，于半导体晶粒之一第一侧；一塑形化合物，围绕半导体晶粒与接着层，其中塑形化合物与接着层齐平；一第一后钝化内连线(post-passiviation interconnect,PPI)，电性连接至半导体晶粒之一第二侧；一第一连接器，电性连接至第一PPI，其中第一连接器位于塑形化合物上并对准塑形化合物。

主权项

一种半导体装置，包括：一半导体晶粒，包括：一第一接合垫，位于一基底之上；一第一钝化层，位于该基底及该接合垫之上，该第一钝化层为一保角层(conformal layer)；一第二钝化层，位于该第一钝化层之上；以及一第一金属柱，直接地接触该第一接合垫且延伸贯穿该第一钝化层及该第二钝化层；一接着层，于该半导体晶粒之一第一侧；一塑形化合物，围绕该半导体晶粒与该接着层，其中该塑形化合物与该接着层齐平；一第一后钝化内连线(post-passiviation interconnect,PPI)，直接地接触该第一金属柱，该第一金属柱电性连接该第一接垫层至该第一PPI；以及一第一连接器，电性连接至该第一PPI，其中该第一连接器位于该塑形化合物上并对准该塑形化合物。