端子构造及半导体元件

摘要

明系关于一种端子构造，其具备：基材10；电极20，其形成于基材上；绝缘性被覆层30，其形成于基材上及电极上，且具有使电极之至少一部分露出之开口；凸块下金属层70，其填充开口且覆盖绝缘性被覆层之一部分；及圆顶状之凸块85，其覆盖凸块下金属层；并且于沿积层方向之剖面中，凸块下金属层朝向凸块为凸形状，且开口之上之凸块下金属层之厚度Tu0为开口之端部上之凸块下金属层之厚度Tu1以上。

主权项

一种端子构造，其具备：基材；电极，其形成于上述基材上；绝缘性被覆层，其形成于上述基材上及上述电极上，且具有使上述电极之至少一部分露出之开口；凸块下金属层，其填充上述开口且覆盖上述绝缘性被覆层之一部分；及圆顶状之凸块，其覆盖上述凸块下金属层；并且于沿积层方向之剖面中，上述凸块下金属层朝向上述凸块为凸形状，且上述开口之中央上之上述凸块下金属层之厚度为上述开口之端部上之上述凸块下金属层之厚度以上；其中于上述电极上之上述绝缘性被覆层之上表面，将上述绝缘性被覆层之上述开口侧之端部之位置设为点A，将上述凸块下金属层之端部之位置设为点B，以上述电极上之上述绝缘性被覆层之上表面为基准，将上述凸块下金属层之厚度相对于上述点A上之上述凸块下金属层之厚度成为一半之位置设为点C时，上述点A与上述点B之距离AB同上述点B与上述点C之距离BC的比R满足下述式：R=BC/AB≧0.05。