金氧半电晶体及其制作方法

摘要

金氧半电晶体之制作方法，形成包括第一与第二电晶体区域之基板，基板具有移除假闸极形成的第一与第二开口，第一与第二开口中有高介电常数绝缘层与阻挡层。于基板上形成介电阻障层，填入第一与第二开口。移除位于第一电晶体区域之部分介电阻障层，以暴露阻挡层。形成第一功函数金属层，填入第一与第二开口。移除位于第二电晶体区域之第一功函数金属层。移除位于第二电晶体区域之部分介电阻障层，以暴露阻挡层。形成第二功函数金属层，填入第一与第二开口。此方法可避免高介电常数绝缘层损耗，维持闸极结构可靠性，提升电晶体性能。

主权项

一种金氧半电晶体之制作方法，包括：形成一基板，包括一第一电晶体区域以及一第二电晶体区域，位于该第一电晶体区域以及该第二电晶体区域之该基板分别具有移除一假闸极形成的一第一开口与一第二开口，该第一开口与该第二开口中分别设置有一高介电常数绝缘层以及位于该高介电常数绝缘层上之一阻挡层；于该基板上形成一介电阻障层，填入该第一开口与该第二开口中，并覆盖该些阻挡层；移除位于该第一电晶体区域之部分该介电阻障层，以暴露出该第一开口中该阻挡层；于移除位于该第一电晶体区域之部分该介电阻障层之该基板上形成一第一功函数金属层，填入该第一开口与该第二开口中；移除位于该第二电晶体区域之该第一功函数金属层；移除位于该第二电晶体区域之部分该介电阻障层，以暴露出该第二开口中该阻挡层；以及于移除位于该第二电晶体区域之部分该介电阻障层之该基板上形成一第二功函数金属层，填入该第一开口与该第二开口中。