| 发明名称 | 在半导体基底上形成开口的方法 | ||
| 摘要 | 明提供了一种在半导体基底上形成开口的方法。此方法首先提供一基底。接着于基底上形成一介电层以及一盖层，其中介电层的厚度与盖层的厚度比值实质上介于15至1.5之间。然后于盖层上形成一图案化之氮化硼层。最后进行一蚀刻制程，利用图案化之氮化硼层为遮罩，蚀刻盖层以及介电层，且于盖层以及介电层中形成一开口。 | ||
| 申请公布号 | TWI518766 | 申请公布日期 | 2016.01.21 |
| 申请号 | TW100112943 | 申请日期 | 2011.04.14 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 吴俊元;刘志建;林进富;陈柏均 |
| 分类号 | H01L21/306(2006.01) | 主分类号 | H01L21/306(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | 吴丰任;戴俊彦 | |
| 主权项 | 一种在半导体基底上形成开口的方法，包含：提供一基底；于该基底上形成一介电层以及一盖层，其中该介电层的厚度与该盖层的厚度比值实质上介于15至1.5；于该盖层上形成一图案化之氮化硼层；以及进行一蚀刻制程，利用该图案化之氮化硼层为遮罩，蚀刻该盖层以及该介电层，且于该盖层以及该介电层中形成一开口。 | ||
| 地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 | ||