ナノワイヤセンサを有する集積回路、センサ装置、測定方法、及び、製造方法

摘要

半導体基板１１０と、半導体基板の上にある絶縁層１２０と、ソース領域１４２ａ，１４２ｂとドレイン領域１４４との間において露出されたチャネル領域１４６を有する、絶縁層１２０上の第１のトランジスタ１４０と、検知信号取得期間において第１のトランジスタにバイアス電圧を供給すべく、半導体基板に伝導的に結合された、周期的に増加する振幅を有する交流バイアス電圧波形３００を生成する電圧波形生成器１５０と、を有する、集積回路１００が開示される。また、かかるＩＣを含むセンサ装置、及び、かかるＩＣを用いるセンサ方法も開示される。