オプトエレクトロニクス半導体コンポーネント用のトラフ型反射体

摘要

本発明のオプトエレクトロニクス半導体コンポーネント（１）は、２つのリードフレーム要素（２３，２４）およびオプトエレクトロニクス半導体チップ（３）を備えるリードフレーム（２）を有する。半導体チップ（３）は、リードフレーム要素のうちの第１リードフレーム要素（２３）上に実装されている。半導体コンポーネント（１）の放射透過性のポッティングボディ（５）は、リードフレーム要素（２３，２４）同士を機械的に接続する。ポッティングボディ（５）は、ビーム整形のために構成されている。第１リードフレーム要素（２３）は、基面（２６）を備えるトラフ型反射体（２５）を含み、その基面（２６）上に半導体チップ（３）が実装されている。トラフ型反射体（２５）は、３つの副領域（２７，２８，２９）を含む周面を含む。基面（２６）を平面視した場合の副領域（２７，２８，２９）は、基面（２６）を包囲しかつ基面（２６）から離れる方向に互いに連続する。基面（２６）に最も近い第１副領域（２７）において、周面は、基面に対して垂直に配向している。第１副領域（２７）は、半導体チップ（３）を越えて突出する。第２副領域（２８）において、周面の傾きは、第３副領域（２９）における傾きよりも緩やかである。副領域（２７，２８，２９）は、直接的にかつ屈曲部を伴って互いにつながる。半導体コンポーネント（１）は、表面実装型である。【選択図】図１