| 发明名称 | 存储装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种存储装置，包括一存储阵列以及至少一阱电压提取区。存储阵列，包括多个垂直晶体管，分别电耦合至相应的字线与埋藏位线，其中字线沿着第一方向延伸，而埋藏位线沿着第二方向延伸。此外，阱电压提取区沿着第二方向穿越存储阵列，将存储阵列区隔成第一次存储阵列区及第二次存储阵列区。 | ||
| 申请公布号 | CN103378084B | 申请公布日期 | 2016.01.20 |
| 申请号 | CN201210107973.6 | 申请日期 | 2012.04.13 |
| 申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L27/105(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人 | 江耀纯 |
| 主权项 | 一种存储装置，其特征在于，包括：一半导体衬底，包含数条字线，沿着第一方向延伸；数条沟槽，位于所述半导体衬底中，沿着第二方向延伸；数条埋藏位线，位于所述沟槽中；存储阵列，包括多个垂直晶体管位于所述半导体衬底中且被所述沟槽分隔开，分别电耦合至相应的所述字线与所述埋藏位线；以及至少一阱电压提取区，沿着所述第二方向穿越所述存储阵列，将所述存储阵列区隔成第一次存储阵列区及第二次存储阵列区。 | ||
| 地址 | 中国台湾桃园县 | ||