发明名称 层叠配线基板
摘要 层叠配线基板(1)中,具有规定的比电阻的低电阻硅基板(2)与具有比该规定的比电阻高的比电阻的高电阻硅基板(4)夹着绝缘层(3)而层叠。在低电阻硅基板(2)上,设置有由环状槽(5)包围的电气通路部(6),在高电阻硅基板(4)的背面(4b)及凹部(11)的内面(11a)上,设置有经由绝缘层(3)的开口(8)而与电气通路部(6)电连接的配线膜(13)。这样,由于在高电阻硅基板(4)设置有配线膜(13),因此,在层叠配线基板(1)的表面侧与背面侧,可将电极垫的数量或位置不同的光半导体元件(20)与电子电路元件(30)电连接。
申请公布号 CN102460687B 申请公布日期 2016.01.20
申请号 CN201080026802.X 申请日期 2010.06.03
申请人 浜松光子学株式会社 发明人 藁科祯久
分类号 H01L23/14(2006.01)I;H01L25/065(2006.01)I;H01L25/07(2006.01)I;H01L25/18(2006.01)I 主分类号 H01L23/14(2006.01)I
代理机构 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人 龙淳
主权项 一种层叠配线基板,其特征在于,具备:低电阻硅基板,其包含由具有厚度份的深度的环状槽包围的电气通路部;第1绝缘层,其层叠于所述低电阻硅基板的一方侧的主面,以在厚度方向上贯通的第1开口对应于所述电气通路部的方式形成;以及第1高电阻硅基板,其层叠于所述第1绝缘层的一方侧的主面,以具有厚度份的深度的第1凹部对应于所述第1开口的方式形成,所述低电阻硅基板具有规定的比电阻,所述第1高电阻硅基板具有比所述规定的比电阻高的比电阻,在所述第1高电阻硅基板的一方侧的主面及所述第1凹部的内面上,经由第1绝缘膜而设置有第1配线膜,所述第1配线膜经由所述第1开口与所述电气通路部电连接,所述电气通路部由所述低电阻硅基板的一部分形成。
地址 日本静冈县