| 发明名称 | PH传感器及制造方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种pH传感器，包括：载体(10)，所述载体包括多个导电迹线和外露的导电区域(40)，所述外漏的导电区域定义了与所述导电迹线之一相连的参考电极；感测装置(30)，安装在所述载体上并且与其他导电迹线中的至少一个相连；覆盖所述载体的封装(20)，所述封装包括使所述感测装置的表面(32)外露的第一腔体(22)以及使所述外露的导电区域外露的第二腔体(24)，所述第二腔体包括参考电极材料(42)和与所述参考电极材料共享至少一种离子类型的离子储存材料(44)，所述参考电极材料夹在所述外露的导电区域与所述离子储存材料之间。还公开了一种制造这种pH传感器的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN102998336B | 申请公布日期 | 2016.01.20 |
| 申请号 | CN201210339594.X | 申请日期 | 2012.09.13 |
| 申请人 | NXP股份有限公司 | 发明人 | 马蒂亚斯·梅兹;科恩·塔克;罗曼诺·胡夫曼 |
| 分类号 | G01N27/00(2006.01)I | 主分类号 | G01N27/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 王波波 |
| 主权项 | 一种pH传感器，包括：载体(10)，所述载体包括多个导电迹线和外露的导电区域(40)，所述外露的导电区域定义了与所述导电迹线之一相连的参考电极；感测装置(30)，安装在所述载体上并且与其他导电迹线中的至少一个相连；覆盖所述载体的封装(20)，所述封装包括使所述感测装置的表面(32)外露的第一腔体(22)以及使所述外露的导电区域外露的第二腔体(24)，所述第二腔体包括参考电极材料(42)和与所述参考电极材料共享至少一种离子类型的离子储存材料(44)，所述参考电极材料夹在所述外露的导电区域与所述离子储存材料之间。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||