| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明的半导体装置(100)包括：供给第一动作电压或比第一动作电压更小的第二动作电压的电源供给部(110)、从电源供给部(110)接收第一动作电压或第二动作电压的低阈值的P型晶体管(Tp)、以及连接在晶体管(Tp)与基准电位之间的N型晶体管(Tn)，晶体管(Tp、Tn)构成对应于输入至栅极的信号(Din)来产生输出信号(Dout)的逻辑电路。电源供给部(110)在通常动作时，将第一动作电压供给至晶体管(Tp)的源极，在待机动作时，将第二动作电压供给至晶体管(Tp)的源极。对第二动作电压进行设定，使得晶体管(Tp、Tn)各自的栅极与源极之间的电压的振幅大于晶体管(Tp、Tn)的阈值。 | ||
| 申请公布号 | CN103000221B | 申请公布日期 | 2016.01.20 |
| 申请号 | CN201110274870.4 | 申请日期 | 2011.09.09 |
| 申请人 | 华邦电子股份有限公司 | 发明人 | 村上洋树 |
| 分类号 | G11C11/404(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/404(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 张龙哺;冯志云 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于，包括：P通道型的第一MOS晶体管，至少接收第一动作电压或比所述第一动作电压更小的第二动作电压；以及N通道型的第二MOS晶体管，至少连接在所述第一MOS晶体管与基准电位之间，所述第一MOS晶体管以及所述第二MOS晶体管构成对应于输入至栅极的信号来产生输出信号的逻辑电路，在通常动作时，所述第一动作电压供给至所述第一MOS晶体管的源极，在待机动作时，所述第二动作电压供给至所述第一MOS晶体管的源极，对所述第二动作电压进行设定，使得所述第一MOS晶体管以及所述第二MOS晶体管各自的栅极与源极之间的电压的振幅大于所述第一MOS晶体管以及所述第二MOS晶体管的阈值。 | ||
| 地址 | 中国台湾台中市大雅区科雅一路8号 | ||