使用改进的伪同步多离子注入工艺制作的半导体结构

摘要

方法和装置提供了下列：同时产生包括第一种类离子的第一等离子体和包括不同的第二种类的离子的第二等离子体的源（152）；包括分析器磁体（180）的加速器系统（170），它们合作以同时：(i)沿着初始轴（A0）加速来自第一和第二等离子体的第一和第二种类离子，(ii)改变来自第一等离子体的第一种类离子的轨迹，从而产生沿着与初始轴横切的第一轴（A1）的至少一个第一离子束，以及(iii)改变来自第二等离子体的第二种类离子的轨迹，从而产生沿着与初始轴和第一轴横切的第二轴（A2）的至少一个第二离子束；波束处理系统（250），操作以同时将第一和第二离子束朝着半导体晶片（120）引导，使得第一和第二种类的离子轰击半导体晶片的注入表面（121）以在那里创建剥落层（122）。

主权项

一种用于注入两个种类的离子的装置，包括：源，所述源同时产生包括第一种类的离子的第一等离子体和包括不同的第二种类的离子的第二等离子体；加速器系统，所述加速器系统包括分析器磁体，所述加速器系统和所述源合作以同时：(i)沿着初始轴加速来自所述第一和第二等离子体的第一和第二种类的离子，(ii)改变来自所述第一等离子体的所述第一种类的离子的轨迹，从而产生沿着与所述初始轴横切的第一轴的至少一个第一离子束，以及(iii)改变来自所述第二等离子体的所述第二种类的离子的轨迹，从而产生沿着与所述初始轴和所述第一轴横切的第二轴的至少一个第二离子束；以及波束处理系统，操作以同时将所述第一和第二离子束朝着半导体晶片引导，使得所述第一和第二种类的离子轰击所述半导体晶片的注入表面以在那里创建剥落层。