发明名称 |
金属硬掩膜层制备方法以及半导体制造方法 |
摘要 |
本发明提供了一种金属硬掩膜层制备方法以及半导体制造方法。根据本发明的铜互连形成方法包括:提供基底;在基底上淀积阻挡薄膜;在阻挡薄膜上淀积介质薄膜;在介质薄膜上淀积金属硬掩膜层;对金属硬掩膜层进行紫外光照射处理;在金属硬掩膜层上淀积硬掩膜覆盖层;执行单大马士革刻蚀工艺和/或双大马士革刻蚀工艺以刻蚀介质薄膜、硬掩膜以及硬掩膜覆盖层,从而暴露多孔介质薄膜的至少一部分孔。根据本发明,经过紫外光照射处理,金属硬掩膜层薄膜内部较弱的化学键会被去除,提高了金属硬掩膜层薄膜的质量;金属硬掩膜层薄膜产生收缩,使得金属硬掩膜层薄膜收缩而产生趋向拉伸的应力,从而能够抵消部分金属硬掩膜层薄膜中较大的压应力。 |
申请公布号 |
CN102832167B |
申请公布日期 |
2016.01.20 |
申请号 |
CN201210208994.7 |
申请日期 |
2012.06.21 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
徐强 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
陆花 |
主权项 |
一种金属硬掩膜层制备方法,其特征在于包括:提供基底;在基底上形成金属硬掩膜层;对所述金属硬掩膜层进行紫外光照射处理;以及对进行紫外光照射处理后的所述金属硬掩膜层进行图形化。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号 |