| 发明名称 | 半导体衬底、形成半导体衬底和集成电路的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体衬底、形成半导体衬底和集成电路的方法。提供了一种在沟道和绝缘体之间采用宽带隙材料的改善的半导体衬底。一种半导体衬底包括由Ⅲ-Ⅴ族材料构成的沟道层；绝缘体层；以及在沟道层和绝缘体层之间的宽带隙材料，其中在沟道层和宽带隙材料之间的导带偏移（ΔE<sub>c</sub>）在0.05eV和0.8eV之间。沟道层可以由例如In<sub>1-x</sub>Ga<sub>x</sub>As或In<sub>1-x</sub>Ga<sub>x</sub>Sb构成，其中x从0到1变化。宽带隙材料可以由例如In<sub>1-y</sub>Al<sub>y</sub>As、In<sub>1-y</sub>Al<sub>y</sub>P、Al<sub>1-y</sub>Ga<sub>y</sub>As或In<sub>1-y</sub>Ga<sub>y</sub>P构成，其中y从0变化到1。 | ||
| 申请公布号 | CN103227192B | 申请公布日期 | 2016.01.20 |
| 申请号 | CN201310032841.6 | 申请日期 | 2013.01.29 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | B·赫克玛特绍塔巴里;D·K·萨达那;G·G·沙希迪;D·沙赫莉亚迪 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/201(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 于静;张亚非 |
| 主权项 | 一种半导体衬底，包括：沟道层，由Ⅲ‑Ⅴ族材料构成；绝缘体层；以及宽带隙材料，在所述沟道层和所述绝缘体层之间并直接位于所述绝缘体层上，其中在所述沟道层和所述宽带隙材料之间的导带偏移(ΔE<sub>c</sub>)在0.05eV和0.8eV之间。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||