多次可编程存储单元及其形成方法

摘要

一种器件，包括有源区和耦合电容器。电容器包括第一浮置栅极，作为耦合电容器的电容器上极板，以及掺杂的半导体区，作为耦合电容器的电容器下极板。掺杂半导体区包括位于有源区的表面处的表面部，以及低于表面部的底面的侧壁部。侧壁部位于有源区的侧壁上。电容器绝缘体设置在电容器上极板和电容器下极板之间。电容器绝缘体包括上部，以及低于上部的底面的侧壁部。本发明还提供了多次可编程存储单元及其形成方法。

主权项

一种多次可编程存储单元器件，包括：第一有源区，包括第一导电类型的阱区；浅沟槽隔离(STI)区，与所述第一有源区相邻；以及耦合电容器，包括：第一浮置栅极，作为所述耦合电容器的电容器上极板；掺杂半导体区，作为所述耦合电容器的电容器下极板，其中，所述掺杂半导体区为第二导电类型，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反，所述掺杂半导体区包括：顶面部，位于所述第一有源区的顶面处，其中所述顶面部包括与所述阱区的所述顶面接触的底面；和底面部，位于所述阱区中并且位于部分所述浅沟槽隔离区下方，所述底面部包括与所述浅沟槽隔离区的底面相接触的顶面；侧壁部，连接所述顶面部和所述底面部，且低于所述顶面部的底面，其中，所述侧壁部与所述阱区的侧壁相接触；以及电容器绝缘体，位于所述电容器上极板和所述电容器下极板之间，其中，所述电容器绝缘体包括上部以及低于所述上部的底面的侧壁部。