| 发明名称 | 一种ZnO/PVK-TFB杂化LED及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种ZnO/PVK-TFB杂化LED及其制备方法，该方法包括两个利用石墨烯的环节，分别是以氮掺杂的石墨烯作为功能层，和以氮掺杂的石墨烯作为填充物；具体的，以氮掺杂的石墨烯作为功能层，是指将氮掺杂的石墨烯悬浊液旋涂到预留部分电极掩膜的ITO玻璃上，得到的石墨烯功能层厚度约50纳米。以氮掺杂的石墨烯作为填充物，是指将氮掺杂的石墨烯悬浊液旋涂到ZnO纳米阵列的缝隙中；采用本发明的方法，在同样的输入功率下能显著提高ZnO/PVK-TFB杂化LED发光强度数倍。 | ||
| 申请公布号 | CN105261708A | 申请公布日期 | 2016.01.20 |
| 申请号 | CN201510602523.8 | 申请日期 | 2015.09.21 |
| 申请人 | 长安大学 | 发明人 | 段理;樊继斌;于晓晨;田野;程晓姣;何凤妮 |
| 分类号 | H01L51/50(2006.01)I;H01L51/54(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 西安恒泰知识产权代理事务所 61216 | 代理人 | 李郑建;孙雅静 |
| 主权项 | 一种ZnO/PVK‑TFB杂化LED，该IED为pn结结构的LED器件，ZnO作为p区材料，PVK‑TFB作为n区材料，其特征在于，所述的p区材料还包括掺有N的石墨烯材料。 | ||
| 地址 | 710064 陕西省西安市雁塔区二环南路中段126号 | ||