| 发明名称 | 电子设备 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及一种电子设备，包括跨阻放大器级，所述跨阻放大器级具有AB类类型的放大器末级(42)、前置放大器级(41)以及被配置以便偏置所述前置放大器级(41)的自偏置共模控制级(40)，所述前置放大器级被耦合在频率变换级的输出与放大器末级(42)的输入之间并且包括双极型晶体管(Q<sub>1</sub>,Q<sub>2</sub>)以及有源负载(46)。 | ||
| 申请公布号 | CN204993264U | 申请公布日期 | 2016.01.20 |
| 申请号 | CN201520706847.1 | 申请日期 | 2015.09.11 |
| 申请人 | 意法半导体有限公司 | 发明人 | L·沙伯特 |
| 分类号 | H03F3/45(2006.01)I | 主分类号 | H03F3/45(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 王茂华;吕世磊 |
| 主权项 | 一种电子设备，其特征在于，包括用于接收具有第一频率的信号的输入以及差分架构电路，所述差分架构电路包括：具有电流输出的至少一个频率变换级(20)，被耦合至所述输入，跨阻放大器级(21)，具有AB类类型的放大器末级(42)、前置放大器级(41)以及被配置以便偏置所述前置放大器级(41)的自偏置共模控制级(40)，所述前置放大器级(41)被耦合在所述频率变换级(20)的输出与所述放大器末级(42)的输入之间并且包括第一双极型晶体管(Q<sub>1</sub>,Q<sub>2</sub>)以及有源负载(46)。 | ||
| 地址 | 法国蒙鲁 | ||