发明名称 |
一种磁控溅射靶 |
摘要 |
本实用新型属于超高真空设备的薄膜生长领域,特别涉及一种磁控溅射靶。该磁控溅射靶的溅射靶主体内设有高压室,高压室的一端连接样品夹持装置,样品夹持装置背面腔体内安装有内磁石和外磁石,内磁石套装于外磁石内,内磁石和外磁石之间设置有冷却装置,冷却装置上连接有高压线。本实用新型可通过调整施加电压的大小来控制氩原子电离的速率,使得氩离子电离的情况易于掌握,不会出现实验不可控的情况,对实验者的操作要求降低到了最低,磁场控制精准,对腔体以及外部环境没有过多要求,体积小巧,受热影响小,与驱动器结合使用灵活性好。 |
申请公布号 |
CN204982041U |
申请公布日期 |
2016.01.20 |
申请号 |
CN201520580983.0 |
申请日期 |
2015.08.05 |
申请人 |
大连齐维科技发展有限公司 |
发明人 |
郭方准 |
分类号 |
C23C14/35(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/35(2006.01)I |
代理机构 |
大连博晟专利代理事务所(特殊普通合伙) 21236 |
代理人 |
于忠晶 |
主权项 |
一种磁控溅射靶,其特征在于:溅射靶主体(2)内设有高压室,高压室的一端连接样品夹持装置,样品夹持装置背面腔体内安装有内磁石(13)和外磁石(12),内磁石(13)套装于外磁石(12)内,内磁石(13)和外磁石(12)之间设置有冷却装置,冷却装置上连接有高压线。 |
地址 |
116000 辽宁省大连市高新园区龙头分园龙天路27号 |