发光半导体装置及其制造方法和发光半导体材料

摘要

发光半导体装置(401)具有由铋(Bi)和一种或多种其它V族元素形成的有源区(405)。在具体实施方式中，III-V材料除包括铋外，还包括砷化镓(GaAs)。在所述III-V材料中包含铋，减小了带隙，同时提高了该材料的自旋轨道分裂能量。当自旋轨道分裂能量超过带隙时，禁止俄歇复合过程，减小了发光半导体装置(401)随环境温度改变的灵敏度。

主权项

一种发光半导体装置，所述发光半导体装置具有包括III‑V材料的有源区，所述III‑V材料包括铋和一种或多种其它V族元素，其中，所述材料中的铋原子与所述其它V族元素的原子的百分比处于5％至15％的范围中，并且使得所述材料的自旋轨道分裂能量大于所述材料的带隙能量，并且其中，所述装置发射具有处于1.3μm到6.0μm之间的波长的光。