| 发明名称 | 包括模式寄存器组的半导体存储器件及其操作方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及包括模式寄存器组的半导体存储器件及其操作方法。本发明公开了一种半导体存储器件及其操作方法，所述半导体存储器件包括：控制器，所述控制器被配置成在模式寄存器组(MRS)模式下产生数据缓冲器控制信号；数据缓冲器，所述数据缓冲器被配置成响应于所述数据缓冲器控制信号而将经由数据焊盘输入的多个MRS码缓冲并输出；以及多个MRS命令发生器，所述多个MRS命令发生器被配置成经由数据线接收从所述数据缓冲器输出的所述MRS码，并基于接收的所述MRS码来产生多个MRS命令。 | ||
| 申请公布号 | CN102568556B | 申请公布日期 | 2016.01.20 |
| 申请号 | CN201110434829.9 | 申请日期 | 2011.12.22 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 具岐峰 |
| 分类号 | G11C7/12(2006.01)I;G11C7/22(2006.01)I;G11C7/10(2006.01)I | 主分类号 | G11C7/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 郭放;许伟群 |
| 主权项 | 一种半导体存储器件，包括：控制器，所述控制器被配置成：接收MRS模式信号和从外部传送来的特定地址、并在模式寄存器组MRS模式下产生数据缓冲器控制信号；数据缓冲器，所述数据缓冲器被配置成响应于所述数据缓冲器控制信号而将经由数据焊盘输入的多个MRS码缓冲并输出；以及多个MRS命令发生器，所述多个MRS命令发生器被配置成经由数据线接收从所述数据缓冲器输出的所述MRS码，并基于接收的所述MRS码来产生多个MRS命令。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||