| 发明名称 | 使用双向阈值开关来编程相变存储器 | ||
| 摘要 | 一种使用双向阈值开关选择装置的相变存储器，可通过首先接通双向阈值开关而从一个状态被编程到另一个状态。在越过单元的电压已经下降后，可接着偏置该单元以将该单元编程到期望状态。 | ||
| 申请公布号 | CN102754166B | 申请公布日期 | 2016.01.20 |
| 申请号 | CN201080059000.9 | 申请日期 | 2010.11.29 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | T·C·朗特里;R·多奇;H·卡斯特罗;D·考;S·唐;J·赫斯特 |
| 分类号 | G11C13/02(2006.01)I;G11C16/34(2006.01)I | 主分类号 | G11C13/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 姜冰;李浩 |
| 主权项 | 一种用于对相变存储器进行编程的方法，包括：通过接通双向阈值开关而将相变存储器单元从第一状态编程到第二状态，其中，在所述双向阈值开关已接通之后的时延之后，所述单元被偏置以将所述单元编程到所述第二状态。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||