相变化记忆体以及制造相变化记忆体的方法

摘要

本发明揭露一种相变化记忆体以及制造相变化记忆体的方法。相变化记忆体的制造方法包含：(i)在半导体基材上形成第一介电层、导电接触结构和第一电极；(ii)在第一介电层上形成具有开口的第二介电层，此开口露出第一电极的顶面；(iii)形成阻障层衬裹开口的侧壁；(iv)在开口内形成相变化元件，相变化元件包含底座和围壁，围壁由底座的周缘沿着阻障层向上延伸，围壁的内缘定义出一个凹口，凹口的入口的宽度大于凹口的底部的宽度；(v)形成加热元件填充在凹口内；以及(vi)形成第二电极于加热元件上方。上述方法仅需一道微影蚀刻制程便能在介电层中形成相变化元件以及嵌设其中的加热元件。

主权项

一种制造相变化记忆体的方法，其特征在于，包含以下操作：在一半导体基材上形成一第一介电层、至少一导电接触结构以及至少一第一电极，其中该第一电极迭置在该导电接触结构上，且该第一电极的顶面露出该第一介电层；形成具有至少一开口的一第二介电层于该第一介电层上，其中该开口露出该第一电极的该顶面；形成一阻障层衬裹该开口的一侧壁；形成一相变化元件于该开口内，其中该相变化元件包含：一底座，接触该第一电极的该顶面；以及一围壁，由该底座的周缘沿着该阻障层向上延伸，该围壁的内缘定义一凹口，该凹口的入口的宽度大于该凹口的底部的宽度；形成一加热元件填充在该凹口内，其中该加热元件的上部的宽度大于该加热元件的下部的宽度；以及形成一第二电极于该加热元件上方。