发明名称 固体摄像器件、电子设备和制造方法
摘要 本发明涉及能够进一步提高转换效率的固体摄像器件、电子设备和制造方法。所述固体摄像器件包括这样的像素:在所述像素中,利用元件隔离区域来实现用于使构成所述像素的元件相互隔离的元件隔离。在所述固体摄像器件中,所述元件隔离区域包括具有沟槽结构的第一沟槽元件隔离区域和具有沟槽结构的第二沟槽元件隔离区域,在FD部与放大晶体管之间的区域中形成有所述第一沟槽元件隔离区域,在除了所述FD部与所述放大晶体管之间的所述区域以外的区域中形成有所述第二沟槽元件隔离区域。而且,所述第一沟槽元件隔离区域被形成为比所述第二沟槽元件隔离区域深。本技术能够适用于例如CMOS图像传感器。
申请公布号 CN105264665A 申请公布日期 2016.01.20
申请号 CN201480029724.7 申请日期 2014.05.19
申请人 索尼公司 发明人 佐藤尚之
分类号 H01L27/146(2006.01)I;H01L21/76(2006.01)I;H04N5/374(2006.01)I 主分类号 H01L27/146(2006.01)I
代理机构 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人 陈桂香;曹正建
主权项 固体摄像器件,其包括:像素,所述像素至少包括如下的元件:光电转换部,所述光电转换部被构造成将光转换成电荷;传输晶体管,所述传输晶体管被构造成传输由所述光电转换部生成的电荷;浮动扩散区域,所述浮动扩散区域被构造成暂时地累积由所述光电转换部生成的电荷;以及放大晶体管,所述放大晶体管被构造成将累积于所述浮动扩散区域中的电荷放大,然后输出具有与该电荷相应的电平的像素信号,其中,在所述像素中,利用元件隔离区域来实现用于使构成所述像素的元件相互隔离的元件隔离,所述元件隔离区域包括具有沟槽结构的第一沟槽元件隔离区域和具有沟槽结构的第二沟槽元件隔离区域,在所述浮动扩散区域与所述放大晶体管之间的区域中形成有所述第一沟槽元件隔离区域,且在除了所述浮动扩散区域与所述放大晶体管之间的所述区域以外的区域中形成有所述第二沟槽元件隔离区域,并且所述第一沟槽元件隔离区域被形成得比所述第二沟槽元件隔离区域深。
地址 日本东京