具有金属栅电极的半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供了一种具有金属栅电极的半导体器件的制造方法。所述方法包括制备具有第一区域和第二区域的半导体衬底的工序，以及在半导体衬底上形成绝缘层的工序。绝缘层形成为包含具有分别配置在第一和第二区域内的第一槽和第二槽的层间绝缘层、和至少覆盖第一和第二槽的底面的栅绝缘层。在具有绝缘层的衬底的整个表面上形成层叠金属层，在层叠金属层上形成具有非感光性的平坦化层。平坦化层形成为填充第一和第二槽。使用干法刻蚀工艺来选择性地去除第一区域内的平坦化层，以暴露第一区域内的层叠金属层并形成覆盖第二区域内的层叠金属层的平坦化层图案。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括如下工序：制备具有第一区域和第二区域的半导体衬底；在所述半导体衬底上形成绝缘层，所述绝缘层形成为包含具有分别配置在所述第一区域和第二区域内的第一槽和第二槽的层间绝缘层和至少覆盖所述第一槽和第二槽的底面的栅绝缘层；在具有所述绝缘层的衬底的整个表面上形成层叠金属层；在所述层叠金属层上形成具有非感光性的平坦化层，所述平坦化层形成为填充所述第一槽和第二槽；以及使用干法刻蚀工艺来选择性地去除所述第一区域内的平坦化层，以暴露所述第一区域内的层叠金属层并形成覆盖所述第二区域内的层叠金属层的平坦化层图案，在所述第一区域内选择性去除所述平坦化层图案的工序包括：在所述平坦化层上形成暴露所述第一区域内的平坦化层的无机抗反射层图案；将所述无机抗反射层图案用作刻蚀掩模来干法刻蚀暴露的平坦化层；以及去除所述无机抗反射层图案。