| 发明名称 | 外延膜形成方法、真空处理设备、半导体发光元件制造方法、半导体发光元件和照明装置 | ||
| 摘要 | 提供一种外延膜形成方法，使用该方法可以借助于溅射法生产由第III族氮化物半导体形成的+c-极性外延膜，还提供一种适用于该外延膜形成方法的真空处理设备。例如，溅射法用于在使用加热器(103)加热至任意温度的α-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>基板(107)上外延生长第III族氮化物半导体薄膜。首先，α-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>基板(107)以该α-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>基板(107)离加热器(103)预定距离(d2)设置这样的方式设置在包括加热器(103)的基板保持器(99)上。接着，在α-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>基板(107)距加热器(103)预定距离(d2)设置的情况下，第III族氮化物半导体薄膜的外延膜形成于α-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>基板(107)上。 | ||
| 申请公布号 | CN102959140B | 申请公布日期 | 2016.01.20 |
| 申请号 | CN201180032579.4 | 申请日期 | 2011.04.12 |
| 申请人 | 佳能安内华股份有限公司 | 发明人 | 醍醐佳明;石桥启次 |
| 分类号 | H01L21/203(2006.01)I;C30B29/38(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;H01L21/683(2006.01)I;H01L33/32(2010.01)I | 主分类号 | H01L21/203(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 一种外延膜形成方法，所述方法在借助使用加热器加热的α‑Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>基板上通过溅射法而外延生长第III族氮化物半导体薄膜，所述方法包括以下步骤：保持所述α‑Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>基板距所述加热器的基板对向面预定距离；和在保持距所述基板对向面预定距离的状态下，将第III族氮化物半导体薄膜的外延膜形成于使用所述加热器加热至100～1200℃温度的所述α‑Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>基板上。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||