模数转换装置及模数转换方法

摘要

本发明涉及半导体集成电路及其制造技术领域，公开了一种模数转换装置及模数转换方法。该模数转换装置包括：数据采样保持单元，用于进行数据采样，得到模拟电压信号，并对模拟电压信号进行存储；量化单元，用于数据采样保持单元输出的模拟电压信号进行量化；编码单元，用于对量化单元输出的数据进行编码，得到数字信号；所述数据采样保持单元包括阻变存储器。本发明利用阻变存储器实现模数转换过程中的数据存储（或称为保持），实验表明，数据保持时间可以长达10年，因此能够保证数据的可靠性，从而也保证了模数转换装置的工作可靠性。另外，本发明的装置结构简单、成本低。

主权项

一种模数转换装置，其特征在于，包括：数据采样保持单元，用于进行数据采样，得到模拟电压信号，并对模拟电压信号进行存储；量化单元，用于数据采样保持单元输出的模拟电压信号进行量化；编码单元，用于对量化单元输出的数据进行编码，得到数字信号；其中，所述数据采样保持单元包括阻变存储器；其中，所述数据采样保持单元还包括与所述阻变存储器连接的MOS器件；其中，所述阻变存储器包括第一导电层、金属氧化物层以及第二导电层，所述金属氧化物层位于所述第一导电层与第二导电层之间，且第一导电层、金属氧化物层以及第二导电层依次覆于所述MOS器件的漏端；其中，所述第一导电层或第二导电层为金属；其中，所述金属氧化物层为HfO_x、TiO_x、WO_x、NiO_x、ZrO_x和Ta_xO_x中的一种，x为正整数；其中，所述第一导电层的厚度为5～100nm；其中，所述金属氧化物层的厚度为3～30nm；其中，所述量化单元为电流比较器。