| 发明名称 | 一种表面沟道场效应晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种表面沟道场效应晶体管，包括：P型衬底上部形成有P阱和N阱，P阱上部两侧形成有N型源漏区，N阱上部两侧形成有P型源漏区；P型源漏区和N型源漏区旁侧形成有场氧区，P型源漏区和N型源漏区被场氧区隔离；P阱上方形成有栅氧化层、第一N+多晶硅层、第二N+多晶硅层和硅化钨层，P阱上方的栅氧化层、第一N+多晶硅层、第二N+多晶硅层和硅化钨层两侧形成有侧墙；N阱上方形成有栅氧化层、N-多晶硅层、第二N+多晶硅层和硅化钨层，N阱上方的栅氧化层、N-多晶硅、第二N+多晶硅层和硅化钨层两侧形成有侧墙。本发明还公开了一种表面沟道场效应晶体管的制造方法。本发明的场效应晶体管，在具备低阈值电压的同时具有稳定的电学性能。 | ||
| 申请公布号 | CN103137694B | 申请公布日期 | 2016.01.20 |
| 申请号 | CN201110397252.9 | 申请日期 | 2011.12.02 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 胡君;石晶;钱文生;罗啸 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 一种表面沟道场效应晶体管，其特征是，包括：P型衬底上部形成有并列的P阱和N阱，P阱上部两侧形成有N型源漏区，N阱上部两侧形成有P型源漏区；P型源漏区和N型源漏区旁侧形成有场氧区，P型源漏区和N型源漏区被场氧区隔离；P阱上方顺序形成有栅氧化层、第一N+多晶硅层、第二N+多晶硅层和硅化钨层，P阱上方的栅氧化层、第一N+多晶硅层、第二N+多晶硅层和硅化钨层两侧形成有侧墙；N阱上方顺序形成有栅氧化层、N‑多晶硅层、第二N+多晶硅层和硅化钨层,N阱上方的栅氧化层、N‑多晶硅、第二N+多晶硅层和硅化钨层两侧形成有侧墙。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||