半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，在使用了SOI衬底的半导体器件中，降低天线效应对策用虚设填充单元的栅极漏电流，并且抑制天线效应。通过使天线效应对策用虚设填充单元(DT)的栅极绝缘膜(GID)的厚度比SOI晶体管(CT)的栅极绝缘膜(GIC)的厚度厚，来减小天线效应对策用虚设填充单元(DT)的栅极漏电流。并且，通过使天线效应对策用虚设填充单元(DT)的栅极面积(栅极长×栅极宽)比SOI晶体管(CT)的栅极面积(栅极长×栅极宽)大，来使天线效应对策用虚设填充单元(DT)的栅极电容与SOI晶体管(CT)的栅极电容大致相同，从而抑制天线效应。

主权项

一种半导体器件，具有：SOI衬底，其具有半导体衬底、所述半导体衬底上的绝缘膜、以及所述绝缘膜上的半导体层；第1场效应晶体管，其形成于所述SOI衬底的第1区域；虚设填充单元，其形成于所述SOI衬底的与所述第1区域不同的第2区域；以及层间绝缘膜，其以覆盖所述第1场效应晶体管以及所述虚设填充单元的方式形成于所述SOI衬底上，所述半导体器件的特征在于，所述第1场效应晶体管具有形成于所述半导体层上的第1栅极绝缘膜和形成于所述第1栅极绝缘膜上的第1栅电极，所述虚设填充单元具有形成于所述半导体层上的第2栅极绝缘膜和形成于所述第2栅极绝缘膜上的第2栅电极，所述第1场效应晶体管的所述第1栅电极与所述虚设填充单元的所述第2栅电极经由形成于所述层间绝缘膜上的布线电连接，所述虚设填充单元的所述第2栅极绝缘膜的厚度比所述第1场效应晶体管的所述第1栅极绝缘膜的厚度厚，所述虚设填充单元的栅极电容与所述第1场效应晶体管的栅极电容相同。