一种成像探测器的制造方法

摘要

本发明公开了一种成像探测器的制造方法，在所述基底上形成牺牲层；刻蚀所述牺牲层，形成暴露所述第一互连孔的通孔；利用锗硅填充所述通孔形成第二互连孔；在所述牺牲层和第二互连孔上形成金属层；在金属层上形成第二介质层；刻蚀去掉部分区域的第二介质层和金属层，使得相邻的四个第二互连孔分别通过4根金属线连接到所述反射层上方的位置，并且4根金属线断开，其中连接对角的两个第二互连孔的金属线延伸到反射层上方的位置暴露，连接另外对角的两个第二互连孔的金属线被第二介质层覆盖；利用氢气和/或氮气对金属层表面进行处理；在反射层所对应的第二介质层上形成热敏电阻。

主权项

一种成像探测器的制造方法，包括步骤：提供基底，其包括半导体衬底和第一介质层，在半导体衬底中内嵌有CMOS电路，在介质层内嵌有呈阵列排布的第一互连孔，所述基底表面具有位于四个相邻的接触孔之间的反射层；其特征在于，还包括步骤：在所述基底上形成牺牲层；刻蚀所述牺牲层，形成暴露所述第一互连孔的通孔；利用锗硅填充所述通孔形成第二互连孔；在所述牺牲层和第二互连孔上形成金属层；在金属层上形成第二介质层；刻蚀去掉部分区域的第二介质层和金属层，使得相邻的四个第二互连孔分别通过4根金属线连接到所述反射层上方的位置，并且4根金属线断开，其中连接对角的两个第二互连孔的金属线延伸到反射层上方的位置暴露，连接另外对角的两个第二互连孔的金属线被第二介质层覆盖；利用氢气和/或氮气对金属层表面进行处理；在反射层所对应的第二介质层上形成热敏电阻，所述热敏电阻覆盖延伸到反射层上方的暴露的金属线，所述热敏电阻的材料为非晶硅；去除牺牲层。