发明名称 薄膜晶体管阵列装置、EL显示面板、EL显示装置、薄膜晶体管阵列装置的制造方法以及EL显示面板的制造方法
摘要 本发明提供一种薄膜晶体管阵列装置、EL显示面板、EL显示装置、薄膜晶体管阵列装置的制造方法以及EL显示面板的制造方法。薄膜晶体管阵列装置包括底栅型的第一晶体管和第二晶体管、钝化膜、层叠在钝化膜下的导电氧化物膜以及对与第一电极(42)同层的第一导电性部件(53)和EL层的第二导电性部件进行中继的中继电极(55),第一布线(21)是相比于钝化膜配置于下层的布线,第二布线(22)是配置在钝化膜上的布线,在与第一电极(42)相同的层且基板的周缘部配置有被输入外部信号的端子部,导电氧化物膜覆盖端子部的上面,并且介于中继电极(55)与第一导电性部件(53)之间,中继电极(55)与第二布线(22)形成在同一层,由与第二布线(22)相同的材料形成。
申请公布号 CN103155019B 申请公布日期 2016.01.20
申请号 CN201180004126.0 申请日期 2011.09.30
申请人 株式会社日本有机雷特显示器;松下液晶显示器株式会社 发明人 小野晋也;钟江有宣;河内玄士朗
分类号 G09F9/30(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I 主分类号 G09F9/30(2006.01)I
代理机构 北京市中咨律师事务所 11247 代理人 徐健;段承恩
主权项 一种薄膜晶体管阵列装置,其是与EL层隔着层间绝缘膜而层叠的装置,所述薄膜晶体管阵列装置包括:基板;第一布线,其配置在所述基板的上方;第二布线,其与所述第一布线交叉;第一晶体管,其包括形成于所述基板上的栅电极以及第一电极和第二电极;第二晶体管,其形成于所述基板上;钝化膜,其介于所述层间绝缘膜与所述第一晶体管之间、以及所述层间绝缘膜与所述第二晶体管之间;导电氧化物膜,其层叠在所述钝化膜下;以及中继电极,其形成于所述钝化膜上,对与所述第一电极设置在同层的第一导电性部件和所述EL层所包含的第二导电性部件进行中继,经由设置于所述钝化膜的第一孔部与所述第一导电性部件电连接,所述第一晶体管和所述第二晶体管是底栅型晶体管,所述第一布线配置在与所述第一电极同层的、所述钝化膜的下层,并且是与所述栅电极电连接的布线和与第一电极电连接的布线中的一方,所述第二布线配置在与所述第一电极不同层的、所述钝化膜的上层,并且是与所述栅电极电连接的布线和与所述第一电极电连接的布线中的另一方,在与所述第一电极相同的层且所述基板的周缘部配置有端子部,所述端子部被输入对所述薄膜晶体管阵列装置的所述第一布线或者所述第二布线进行驱动的外部信号,所述导电氧化物膜覆盖所述端子部的上面,并且至少在所述第一孔部的底面部介于所述中继电极与所述第一导电性部件之间,使所述中继电极和所述第一导电性部件电连接,所述中继电极与所述钝化膜上的所述第二布线形成在同一层,由与所述第二布线相同的材料形成。
地址 日本东京都