发明名称 |
高频谐振子的谐振频率及品质因子快速测量 |
摘要 |
一种基于AFM的高频谐振子的谐振频率和/或品质因子测量方法,包括:将谐振子器件放于压电陶瓷上,将激励信号加到压电陶瓷上;将压电陶瓷及谐振子器件放于AFM样品台上,扫描谐振子以确定探针在器件表面位置,然后将探针精确定位于谐振子振幅较大的结构上;将激励信号源的频率先定于预先估计的谐振子谐振频率附近,等待激励进入稳定状态;设置激励信号源在估计谐振频率附近扫描,利用原子力显微镜探测在扫描频率下谐振子振动位移;改变探针位置到谐振子附近区域,得到器件在谐振子附近的振动位移;将相同频率的振动位移相减,得到在不同频率下谐振子的净振幅;以及处理得到的数据,得到谐振子的谐振频率和/或品质因数。 |
申请公布号 |
CN105258786A |
申请公布日期 |
2016.01.20 |
申请号 |
CN201510736562.7 |
申请日期 |
2015.11.03 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
刘杨;张明亮;王晓东;杨富华 |
分类号 |
G01H13/00(2006.01)I;G01Q60/24(2010.01)I |
主分类号 |
G01H13/00(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
吕雁葭 |
主权项 |
一种基于原子力显微镜AFM的高频谐振子的谐振频率和/或品质因子快速测量方法,该方法包括:步骤1:将谐振子器件放于压电陶瓷上,激励信号源输出的激励信号通过波形发生器,经过放大器加载到压电陶瓷上;步骤2:将压电陶瓷以及谐振子器件放于AFM样品台上,扫描谐振子以确定探针在器件表面位置,然后将探针精确定位于谐振子振幅较大的结构上;步骤3:将激励信号源的频率设定于预先估计的谐振子谐振频率附近,输出激励信号,等待激励进入稳定状态;步骤4:设置激励信号源在估计谐振频率附近扫描,利用原子力显微镜探测在扫描频率下谐振子振动位移;步骤5:改变探针位置到谐振子附近区域,重复步骤4得到器件在谐振子附近的振动位移;步骤6:将步骤4和5中相同频率的振动位移相减,得到在不同频率下谐振子的净振幅;以及步骤7:处理得到的数据,绘制振幅‑频率图,得到谐振子在不同频率下的振幅曲线,并根据该振幅曲线得到谐振子的谐振频率和/或品质因数。 |
地址 |
100083 北京市海淀区清华东路甲35号 |