| 发明名称 | 聚合物厚膜铜导体组合物的光子烧结 | ||
| 摘要 | 本发明提供了使用聚合物厚膜铜导体组合物在电路中形成电导体的方法，所述方法包括使该沉积的厚膜铜导体组合物经受光子烧结。本发明还提供用于降低由聚合物厚膜导体组合物形成的电导体的电阻的方法，所述方法包括使所述电导体经受光子烧结的步骤。本发明还提供包含通过这些方法制成的电导体的装置。本发明还提供聚合物厚膜铜导体组合物。 | ||
| 申请公布号 | CN105264614A | 申请公布日期 | 2016.01.20 |
| 申请号 | CN201480032685.6 | 申请日期 | 2014.06.06 |
| 申请人 | E.I.内穆尔杜邦公司 | 发明人 | J·D·萨默斯 |
| 分类号 | H01B1/22(2006.01)I;C09D5/24(2006.01)I;H05K3/12(2006.01)I | 主分类号 | H01B1/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 江磊;朱黎明 |
| 主权项 | 一种用于在电路中形成电导体的方法，所述方法包括：a)提供基板；b)提供包含还原剂的聚合物厚膜铜导体组合物；c)将所述聚合物厚膜铜导体组合物施用到所述基板上；以及d)使所述聚合物厚膜铜导体组合物经受光子烧结以形成所述电导体。 | ||
| 地址 | 美国特拉华州 | ||