METHOD OF FABRICATING OXIDE THIN FILM TRANSISTOR

摘要

본 발명의 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법은 비정질 아연 산화물(ZnO)계 반도체를 액티브층으로 사용한 박막 트랜지스터에 있어서, 보호층을 증착하기 전에 산소를 이용하여 백 채널(back channel) 영역에 표면처리를 진행함으로써 백 채널 표면의 산소를 보충하여 산화물 박막 트랜지스터의 소자특성을 조절하는 것을 특징으로 한다.