| 摘要 |
L'invention décrit un procédé de réalisation d'ouvertures de contact (352) pour la connexion d'un transistor (200) à partir d'un empilement de couches comprenant une couche active (146) en un matériau semi-conducteur, une couche de siliciure (441) surmontant la couche active, une couche à base de nitrure (452) surmontant la couche de siliciure, et une couche isolante (442) électriquement surmontant la couche à base de nitrure, le procédé comprenant les étapes suivantes :
une étape d'ouverture (410) pour former dans la couche isolante une ouverture (352) mettant à nu sur la couche à base de nitrure et délimitée par des flancs de la couche isolante, et une étape de retrait (420) de la couche à base de nitrure comprenant une étape de modification (530) de la couche à base de nitrure au droit de l'ouverture en utilisant un plasma dans lequel on introduit du CxHy où x est la proportion de carbone et y est la proportion d'ions hydrogène (H) et comprenant des ions plus lourds que l'hydrogène ; les conditions du plasma, en particulier la concentration en CxHy, l'énergie des ions et la direction principale d'implantation étant choisies de manière à modifier une portion (168) de la couche à base de nitrure et à former un film carboné (271) protecteur sur lesdits flancs de la couche isolante
au moins une étape de retrait (540) de la portion modifiée (168) à base de nitrure à l'aide d'une gravure sélective de la portion modifiée (168) vis-à-vis des portions non-modifiées de la couche à base de nitrure et vis-à-vis au film carboné. |
