一种SOI MEMS牺牲层腐蚀时金属电极的保护方法

摘要

一种SOI MEMS牺牲层腐蚀时金属电极的保护方法，包括在SOI硅片结构层表面进行光刻、采用剥离工艺制作金属电极；在SOI硅片结构层表面溅射金属铝；在SOI硅片结构层表面光刻，定义出MEMS结构图形；腐蚀SOI硅片结构层表面上暴露出的金属铝；利用金属铝和光刻胶掩膜，采用DRIE各向异性刻蚀，刻蚀深度至绝缘层；腐蚀绝缘层，释放结构；用丙酮浸泡去掉SOI硅片结构层上面的光刻胶；腐蚀SOI硅片结构层表面上的铝；裂片、封装、测试。上述方法，利用甘油、HF和NH4F的混合溶液腐蚀牺牲层，采用铝保护金属电极，能显著延长牺牲层腐蚀时间，增加工艺的灵活性，且金属电极完整性更好。

主权项

一种SOI MEMS牺牲层腐蚀时金属电极的保护方法，所述SOI包括结构层（1）、衬底层（3）以及位于所述结构层（1）和所述衬底层（3）之间的绝缘层（2），其特征在于，所述保护方法包括以下步骤：S1，在SOI 硅片结构层（1）表面进行光刻、采用剥离工艺制作金属电极（4）；S2，在所述SOI硅片结构层（1）表面溅射金属铝（5）；S3，在所述SOI硅片结构层（1）表面光刻，定义出MEMS结构图形；S4，腐蚀所述SOI硅片结构层（1）表面上暴露出的金属铝（5）；S5，利用所述金属铝（5）和光刻胶（6）对所述SOI硅片结构层（1）掩膜，采用DRIE各向异性刻蚀，刻蚀深度至绝缘层（2）；S6，腐蚀所述绝缘层（2），释放结构；S7，用丙酮浸泡去掉所述SOI硅片结构层（1）上面的所述光刻胶（6）；S8，腐蚀SOI硅片结构层（1）表面上的所述金属铝（5）；S9，裂片、封装、测试。