| 发明名称 | 薄膜晶体管 | ||
| 摘要 | 一种薄膜晶体管，包括：一栅极，设置于一基板上且连接至一栅极线；一电容补偿结构，设置于该基板上，且该电容补偿结构电性连接至该栅极，其特征在于，该电容补偿结构具有一第一侧边面对该栅极以及一第二侧边远离该栅极，该电容补偿结构具有一第一延伸部，以及一连接至该第一延伸部与该栅极线的第一本体部；一半导体层，设置于该基板上且覆盖部分该栅极，其中，该半导体层至少延伸重叠于该电容补偿结构的该第一侧边；一介电层，设置于该基板上，且该介电层具有一第一开口及一第二开口分别暴露出位于该栅极处的部分该半导体层；一漏极，设置于该基板上且经由该第一开口接触该半导体层；以及一源极，设置于该基板上且经由该第二开口接触该半导体层。 | ||
| 申请公布号 | CN105261655A | 申请公布日期 | 2016.01.20 |
| 申请号 | CN201510847930.5 | 申请日期 | 2012.12.21 |
| 申请人 | 友达光电股份有限公司 | 发明人 | 奚鹏博;陈钰琪 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人 | 梁挥;尚群 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，包括：一栅极，设置于一基板上且连接至一栅极线；一电容补偿结构，设置于该基板上，且该电容补偿结构电性连接至该栅极，其特征在于，该电容补偿结构具有一第一侧边面对该栅极以及一第二侧边远离该栅极，该电容补偿结构具有一第一延伸部，以及一连接至该第一延伸部与该栅极线的第一本体部；一半导体层，设置于该基板上且覆盖部分该栅极，其中，该半导体层至少延伸重叠于该电容补偿结构的该第一侧边；一介电层，设置于该基板上，且该介电层具有一第一开口及一第二开口分别暴露出位于该栅极处的部分该半导体层；一漏极，设置于该基板上且经由该第一开口接触该半导体层；以及一源极，设置于该基板上且经由该第二开口接触该半导体层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行二路1号 | ||