| 发明名称 | 功率MOSFET和制造功率MOSFET的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及功率MOSFET和制造功率MOSFET的方法。功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)包括在半导体衬底(100)的主表面(110)中栅极沟槽(130)中的栅极电极(132)，栅极沟槽(130)平行于主表面延伸。功率MOSFET进一步包括在主表面(110)中场板沟槽(140)中的场电极(142)，场板沟槽(140)具有在第一方向上的延伸长度，该延伸长度小于在垂直于第一方向的第二方向上的延伸长度的两倍，并且在第一方向上的延伸长度大于在第二方向上的延伸长度的一半，其中第一和第二方向平行于主表面(110)。栅极电极(132)包括栅极电极材料，栅极电极材料包括金属。 | ||
| 申请公布号 | CN105261650A | 申请公布日期 | 2016.01.20 |
| 申请号 | CN201510528105.9 | 申请日期 | 2015.07.14 |
| 申请人 | 英飞凌科技奥地利有限公司 | 发明人 | O·布兰克;M·胡茨勒;D·拉福雷特;C·乌夫拉尔;R·西米尼克;叶俐君 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 王岳;胡莉莉 |
| 主权项 | 一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管，包括：栅极电极(132)，在半导体衬底(100)的主表面(110)中的栅极沟槽(130)中，所述栅极沟槽(130)平行于所述主表面延伸；以及场电极(142)，在所述主表面(110)中的场板沟槽(140)中，所述栅极电极(132)包括栅极电极材料，所述栅极电极材料包括金属，其中，所述栅极电极材料包括第一和第二金属层的组合，所述第一金属层邻近于栅极电介质，并且其中所述第一金属层是金属氮化物。 | ||
| 地址 | 奥地利菲拉赫 | ||