发明名称 | 硅锭的制造方法以及硅锭 | ||
摘要 | 本发明提供一种硅锭的制造方法以及硅锭。为了简便地制造具有缺陷少且结晶性优良的区域的硅锭,本发明的硅锭的制造方法具有:第1工序,准备铸模;第2工序,向所述铸模内提供第1硅熔液,通过使该第1硅熔液在所述铸模内的底部上凝固,从而形成第1凝固层,该第1凝固层具有:第1区域、和在该第1区域上通过截面处的蚀刻处理而能够成为蚀刻陷斑的缺陷的密度比该第1区域高的第2区域;和第3工序,向所述铸模内的所述第1凝固层上提供第2硅熔液,使该第2硅熔液在从所述第1凝固层向上方的单向上凝固,形成第2凝固层,该第2凝固层具有:通过截面处的蚀刻处理而能够成为蚀刻陷斑的缺陷的密度比所述第2区域低的第3区域。 | ||
申请公布号 | CN105263859A | 申请公布日期 | 2016.01.20 |
申请号 | CN201480031011.4 | 申请日期 | 2014.05.23 |
申请人 | 京瓷株式会社 | 发明人 | 田边英义;迹部淳一;堂本千明 |
分类号 | C01B33/02(2006.01)I | 主分类号 | C01B33/02(2006.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 李国华 |
主权项 | 一种硅锭的制造方法,其具有:第1工序,准备铸模;第2工序,向所述铸模内提供第1硅熔液,通过使该第1硅熔液在所述铸模内的底部上凝固,从而形成第1凝固层,该第1凝固层具有:第1区域、和在该第1区域上通过截面处的蚀刻处理而能够成为蚀刻陷斑的缺陷的密度比该第1区域高的第2区域;和第3工序,向所述铸模内的所述第1凝固层上提供第2硅熔液,使该第2硅熔液在从所述第1凝固层向上方的单向上凝固,从而形成第2凝固层,该第2凝固层具有:通过截面处的蚀刻处理而能够成为蚀刻陷斑的缺陷的密度比所述第2区域低的第3区域。 | ||
地址 | 日本京都府 |