高密度芯片到芯片连接

摘要

本发明涉及高密度芯片到芯片连接。一种装置包括至少第一IC管芯和第二IC管芯。第一和第二IC管芯的底表面包括多个第一连接焊盘，并且第一和第二IC管芯的顶表面包括多个第二连接焊盘。该装置还包括覆盖第一和第二IC管芯的顶表面的非导电材料层、多个通孔、在多个第一连接焊盘中的至少一部分和至少一个通孔之间的第一导电互连、以及在非导电材料层的顶表面上的第二导电互连，所述第二导电互连在多个第二连接焊盘中的至少一部分和多个通孔中的至少一个通孔之间提供电连续性。

主权项

一种装置，包括：至少第一集成电路（IC）管芯和第二IC管芯，其中所述第一和第二IC管芯的底表面包括多个第一连接焊盘，并且所述第一和第二IC管芯的顶表面包括多个第二连接焊盘；非导电材料层，其覆盖所述第一和第二IC管芯的顶表面；多个通孔，其包括在所述第一IC管芯中的至少一个通孔和在所述第二IC管芯中的至少一个通孔；第一导电互连，其在所述多个第一连接焊盘中的至少一部分和所述多个通孔中的至少一个通孔之间；以及第二导电互连，其在所述非导电材料层的顶表面上，所述第二导电互连在所述多个第二连接焊盘中的至少一部分和所述多个通孔中的至少一个通孔之间提供电连续性。