| 发明名称 | 方法、电路布置和桥电路 | ||
| 摘要 | 本发明涉及方法、电路布置和桥电路，其用于对在半导体开关的主电流端上的起作用的电容——特别是固有电容、特别是MOSFET半导体开关的漏源极电容或IGBT半导体开关的集电极发射极电容——进行充电，其中，强制性地通过一充电电流路径来控制对所述起作用的电容进行的预充电、特别是至少部分的充电。 | ||
| 申请公布号 | CN102099995B | 申请公布日期 | 2016.01.20 |
| 申请号 | CN200980127682.X | 申请日期 | 2009.06.30 |
| 申请人 | 索尤若驱动有限及两合公司 | 发明人 | H·沃尔夫 |
| 分类号 | H02M7/521(2006.01)I | 主分类号 | H02M7/521(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 吴鹏;马江立 |
| 主权项 | 一种用于对在半导体开关的主电流端上的起作用的电容进行充电的方法，所述起作用的电容是MOSFET半导体开关的漏源极电容或IGBT半导体开关的集电极发射极电容，其特征在于，强制性地通过一充电电流路径来控制对所述起作用的电容进行的预充电，在引导待切换的功率电流的主电流路径中布置有串联二极管，所述半导体开关与该串联二极管串联；所述充电电流路径包括与串联二极管(D<sub>S2</sub>)连接的充电电感(L<sub>L2</sub>)、基极电阻(R<sub>b2</sub>)、充电晶体管(T<sub>2</sub>)和充电二极管(D<sub>L2</sub>)，所述半导体开关(S<sub>2</sub>)的栅极与充电晶体管(T<sub>2</sub>)的基极电阻(R<sub>b2</sub>)相连接，使得当半导体开关(S<sub>2</sub>)被断开时同时接通充电晶体管(T<sub>2</sub>)。 | ||
| 地址 | 德国布鲁赫萨尔 | ||