发明名称 显示设备及其制造方法
摘要 本发明公开了显示设备及其制造方法。该显示设备包括:基板;第一导电膜图案,包括位于所述基板上的栅电极和第一电容器电极;栅绝缘层图案,位于所述第一导电膜图案上;多晶硅膜图案,包括位于所述栅绝缘层图案上的有源层和第二电容器电极;层间绝缘层,位于所述多晶硅膜图案上;多个第一接触孔,通过所述栅绝缘层图案和所述层间绝缘层,以暴露所述第一导电膜图案的一部分;多个第二接触孔,通过所述层间绝缘层,以暴露所述多晶硅膜图案的一部分;以及第二导电膜图案,包括位于所述层间绝缘层上的源电极、漏电极和像素电极。
申请公布号 CN102280466B 申请公布日期 2016.01.20
申请号 CN201110103411.X 申请日期 2011.04.18
申请人 三星显示有限公司 发明人 申旼澈;许宗茂;金奉柱;李仑揆
分类号 H01L27/32(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I 主分类号 H01L27/32(2006.01)I
代理机构 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 代理人 罗正云;宋志强
主权项 一种显示设备,包括:基板;第一导电膜图案,包括位于所述基板上的栅电极和第一电容器电极;栅绝缘层图案,位于所述第一导电膜图案上;多晶硅膜图案,包括位于所述栅绝缘层图案上的有源层和第二电容器电极;层间绝缘层,位于所述多晶硅膜图案上;多个第一接触孔,通过所述栅绝缘层图案和所述层间绝缘层,以暴露所述第一导电膜图案的一部分;多个第二接触孔,通过所述层间绝缘层,以暴露所述多晶硅膜图案的一部分;以及第二导电膜图案,包括位于所述层间绝缘层上的源电极、漏电极和像素电极,其中除了所述多个第一接触孔之外,所述栅绝缘层图案具有与所述第一导电膜图案相同的图案,其中所述多个第一接触孔之一暴露所述第一电容器电极。
地址 韩国京畿道