| 发明名称 | 使硅层结晶的方法及使用该方法形成薄膜晶体管的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种使硅层结晶的方法及一种使用该方法制造薄膜晶体管的方法，使硅层结晶的方法包括：在基底上形成非晶硅层；对非晶硅层的表面执行疏水性处理，以在非晶硅层上获得疏水性表面；在经历过疏水性处理的非晶硅层上形成金属催化剂；以及热处理其上包括金属催化剂的非晶硅层，以使非晶硅层结晶成多晶硅层。 | ||
| 申请公布号 | CN102270570B | 申请公布日期 | 2016.01.20 |
| 申请号 | CN201110156773.5 | 申请日期 | 2011.06.03 |
| 申请人 | 三星显示有限公司 | 发明人 | 郑胤谋;李基龙;徐晋旭;郑珉在;孙榕德;苏炳洙;朴承圭;朴炳建;李东炫;李吉远;李卓泳;朴种力 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/314(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 刘灿强;韩明星 |
| 主权项 | 一种使硅层结晶的方法，所述方法包括：在基底上形成非晶硅层；用‑H基或‑F基使非晶硅层的表面钝化，以在非晶硅层上获得疏水性表面；通过物理气相沉积、原子层沉积或离子注入在用‑H基或‑F基钝化的非晶硅层上形成具有10<sup>11</sup>原子/cm<sup>2</sup>至10<sup>14</sup>原子/cm<sup>2</sup>的密度的金属催化剂；以及热处理其上包括金属催化剂的非晶硅层，以使非晶硅层结晶成多晶硅层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道龙仁市 | ||