发明名称 |
用于制造具有绝缘半导体台面的半导体组件的方法 |
摘要 |
用于制造具有绝缘半导体台面的半导体组件的方法。用于制造半导体组件的方法包括:提供具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的半导体本体;蚀刻从第一表面部分地进入到半导体本体的绝缘沟槽;在绝缘沟槽的一个或更多侧壁上形成第一绝缘层;通过研磨、抛光和CMP工艺其中至少一个处理第二表面以露出第一绝缘层;以及在处理的第二表面上沉积延伸到第一绝缘层的第二绝缘层。 |
申请公布号 |
CN102543870B |
申请公布日期 |
2016.01.20 |
申请号 |
CN201110408395.5 |
申请日期 |
2011.12.09 |
申请人 |
英飞凌科技股份有限公司 |
发明人 |
H.格鲁贝尔;F.希尔勒;A.莫德;A.迈泽;H.罗特莱特纳 |
分类号 |
H01L21/82(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/82(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
曲宝壮;卢江 |
主权项 |
一种用于制造半导体组件的方法,包括:提供具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的半导体本体;形成从第一表面进入到半导体本体中的绝缘沟槽;沿着绝缘沟槽的完整侧壁在半导体本体中与绝缘沟槽相邻地形成掺杂半导体区域;至少在绝缘沟槽的一个或更多侧壁上形成第一绝缘层;从第二表面去除半导体本体的半导体材料以露出第一绝缘层的底部部分且形成背表面;以及在背表面上沉积第二绝缘层,使得,形成通过第一绝缘层和第二绝缘层彼此绝缘的至少两个半导体台面。 |
地址 |
德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号 |