氮化物半导体装置

摘要

氮化物半导体装置具有：半导体基板(101)和在半导体基板上形成的氮化物半导体层(102)。半导体基板(101)具有通常区域(101A)、载流子供给区域(101C)以及界面电流阻挡区域(101B)。界面电流阻挡区域包围通常区域以及载流子供给区域；界面电流阻挡区域与载流子供给区域分别含有杂质。载流子供给区域具有成为向在氮化物半导体层与半导体基板的界面形成的载流子层进行供给的载流子供给源且成为载流子的排出目的地的导电类型。界面电流阻挡区域具有针对载流子形成势垒的导电类型。

主权项

一种氮化物半导体装置，其具有：半导体基板；和在上述半导体基板上形成的氮化物半导体层，上述半导体基板具有：通常区域、载流子供给区域以及界面电流阻挡区域，上述氮化物半导体层具有：元件区域以及包围该元件区域的元件分离区域，上述界面电流阻挡区域包围上述通常区域以及载流子供给区域，上述界面电流阻挡区域和上述载流子供给区域分别含有杂质，上述元件区域的至少一部分形成在上述通常区域的上方，在上述氮化物半导体层与上述半导体基板的界面上，上述载流子供给区域具有：成为向根据被施加到上述氮化物半导体层与上述半导体基板之间的电场而形成的载流子层进行供给的载流子供给源、且成为上述载流子的排出目的地的导电类型，上述界面电流阻挡区域具有针对上述载流子形成势垒的导电类型，上述载流子供给区域的杂质浓度为1×10¹⁶cm^‑3以上。